工学部 電気電子工学科

中田修平 研究室

NAKATA SHUUHEI
LABORATORY

地球にやさしい電気機器を目指して

世の中は電気を使う製品であふれています。電気の消費量が増えれば増えるだけ、温室効果ガス等の環境への影響が深刻になってきます。このため、損失が少なく効率よい電気の使い方が求められます。研究室では、電気機器のエネルギー損失を10分の1に低減できる次世代パワー半導体を用い、色々な使用条件の下で特性評価を行っています。性能限界を見極めることで更なる損失低減ができる使い方の提案を目指します。

キーワード

  • 次世代パワー半導体
  • 電気機器の省エネ
  • 性能限界評価技術

ニュース&トピックス

NEWS & TOPICS

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研究紹介

RESEARCH

新しい素子を用いたパワエレ機器の小型化

研究内容

パワエレ機器の電力変換部には従来Si半導体が使われてきている。近年Wide Band Gap(WBG)半導体が耳目を集めている。2016年度までの会社時代は、WBG半導体を用いて電力変換時の損失低減検証を行い、大幅低減(70%-90%減)を実現してきた。WBG半導体は優れた省エネ性能のお陰で徐々に製品化されてきています。
WBG半導体のもう一つの特徴は、高速応答性にあるが、その性能が十分活かしきれているとは言えない。
研究室では、パワー半導体の知見と回路の知見をもとに、素子の高速応答性に着目して速い速度、周波数を制御することで新たな応用分野を開拓していく予定である。

教員紹介

TEACHERS

中田修平  教授・博士(工学)

香川県 丸亀高校出身

略歴

東京大学工学部卒業、同大学大学院工学研究科博士課程 電気工学専攻修了。三菱電機(株)入社。中央研究所、先端技術総合研究所に勤務。加速器のパルス電磁石及び加速空洞の開発、電磁界解析技術を用いたブラウン管の電子銃及び偏向ヨークの開発、SiCを用いたパワー半導体の開発に従事。FEDプロジェクトグループサブプロジェクトマネージャー、SiCデバイス開発センター副センター長を経て2017年本学教授就任。

専門分野

専門:電磁界解析と電子ビーム軌道解析、加速器技術、表示装置、パワー半導体とその応用
論文・著書:球形逆転磁界配位プラズマの研究(学位論文)。加速器を構成するパルス電磁石や加速空洞、ブラウン管の電子銃及び偏向ヨーク、CNT(Carbon Nano Tube)を用いた表示装置、SiCパワーデバイス応用等の論文
受賞:電気学会関西支部連合大会奨励賞

横顔

生まれは香川県、小中学校と徳島県、高校は香川県、大学時代は東京、社会人は兵庫県で暮らしました。性格は温和であることに努めています。好きな言葉は、「烈士暮年、壮心已まず」で、そのように心がけてはいますが、なかなか困難。当意即妙な対応が苦手です。ダイナミックに変化する時代を皆様と一緒に楽しめればと思います。よろしくお願いいたします。

趣味

里山散策(体内の不要なエネルギーを消費する実利を兼てます)

近況

今年から金沢で初めて過ごすことになります。元の住居(兵庫県)は近くに山が多く、バラエティーに富んだ散策を楽しめました。金沢は初めてなので暫くは街中散策になりそうです。

オリジナルコンテンツ

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