工学部 電気電子工学科
井田次郎 研究室
IDA Jiro
LABORATORY
体温、振動のみで使える究極のエコ・シリコン半導体デバイスを目指して
シリコン半導体デバイスは、スマートフォンなどのあらゆる情報機器に使われている。今後、老朽化するインフラや血圧などの生体情報を常時モニターする応用が注目されている。それには、微小な振動や環境中にある電波などのわずかなエネルギーで動くデバイスが必要である。この究極のエコ・シリコン半導体・集積回路をめざし、内外の研究機関、民間企業と共同で研究を行っている。
キーワード
- シリコン半導体デバイス
- 集積回路
- 超省電力デバイス
研究紹介
RESEARCH
極低消費電力LSI向けデバイス・回路の融合設計の研究
研究内容
完全空乏型SOI デバイス、3 次元FIN 型SOI デバイスのモデル化を行いLSI の中で一番パワーを消費するアナログ・RF回路シミュレーションに持ち込み、デバイスの視点から極低消費電力化の追究をしています。これらのデバイスの特徴である極小接合容量、極小基板バイアス効果などを活かし切る方式を追究しています。体温、振動、電波等のグリーンエネルギーの研究動向を把握し、それらの微弱エネルギーで動作する究極の極低消費電力LSI を目指します。また、現状の技術をベースにしたシステムの視点からの研究も予定しており、市場機会を明確にするとともに、応用開拓に向けデバイス、回路技術に不可欠な要素を抽出しこの研究にフィードバックさせます。 これらは、学内、産官学とのネットワークをさらに発展させつつ研究にあたります。
教員紹介
TEACHERS
井田次郎 教授・博士(工学)
略歴
専門分野
専門:半導体界面の電気的評価、エネルギー・ハーデスティング(環境RF発電)、極低消費電力新規デバイス構造、シリコン半導体デバイス&SOI
学生へのメッセージ
学生時代に量子論に興味を持ち、それに関連する半導体、集積回路の分野に進みました。Okiにてソニーと共同で第1世代プレステ用の集積回路開発など実施しました。本学に移り、革新的な極低電力向けデバイス構造を提案し注目されています。これは国の大きな研究プロジェクトから資金を得ています。さらに、2020年から、量子コンピュータの国家プロジェクトにも参加しています。量子コンピュータは、将来の国の競争力を左右すると言われるテーマです。学生時代に戻った感覚で、EPRパラドックスに代表される量子の不思議の世界にも再度分け入ろうとしています。井田研では、これら今話題の最先端の研究分野に触れることができます。井田研の院生達は、ほぼ全員が海外での国際学会で発表しています。学生といっしょに海外に行くのが最大の趣味ですが、釣り、さらに、最近ピアノ(還暦の手習い?)をスタートしました。釣りでは、2020年に生まれて初めて40cmオーバの黒鯛を釣りました!
担当科目
プロジェクトデザイン入門(実験)(電気電子工学科) 電子工学 プロジェクトデザインⅡ プロジェクトデザインⅢ(井田次郎研究室) 電子工学 物性工学 プロジェクトデザイン実践(実験)(電気電子工学科) 光・電子デバイス工学 光・電子デバイス工学研究(井田次郎) 光・電子デバイス統合特論
研究業績
RESEARCH RESULTS
論文
- Variability Evaluation of MOS-gated PNPN Diode for Hardware Spiking Neural Network
- Sharp Turn-on Diode by Steep SS “PN-Body Tied SOI FET” for Ultra-low Power RF Energy Harvesting
- Modeling of Super Steep Subthreshold Slope Device by using Neural Network
- Evaluation of Multi-Finger PN-Body Tied SOI-FET-Origin and Suppression of Stepped Id–Vg Characteristics-
- Neuron Function with Single Device by using "PN-Body Tied SOI-FET"-Mimicking Leaky Integrate and Fire Characteristics-
- RF Evaluation of Steep Subthreshold Slope “PN-Body Tied SOI-FET”
- Developing Ultralow Trun-on Voltage Diode by Steep Slope "PN-Body Tied SOI-FET"
- Investigation of capacitor-less integrate and fire neuron by using dual-gate a PN-body tied silicon on insulator field-effect transistor
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